離子輻照后4H-SiC晶體退火前后的光譜研究

分析了高能pb27+輻照預(yù)注入12C+的和未預(yù)注入12C+4H-SiC樣品在,退火前后傅立葉變換紅外光譜和拉曼散射光譜的變化.從傅立葉變換紅外光譜可以知道,900℃以上的退火使損傷層發(fā)生顯著恢復(fù);在拉曼散射光譜中可以看到1200℃退火后有石墨相的存在.實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明,高溫退火有利于損傷的恢復(fù),使注入到碳化硅中的碳原子發(fā)生聚集并引起相變.

作 者： 周麗宏 張崇宏 楊義濤 宋銀 姚存峰 ZHOU Lihong ZHANG Chonghong YANG Yitao SONG Yin YAO Cunfeng   作者單位： 周麗宏,楊義濤,姚存峰,ZHOU Lihong,YANG Yitao,YAO Cunfeng(中國科學(xué)院近代物理研究所,蘭州,730000;中國科學(xué)院研究生院,北京,100049)

張崇宏,宋銀,ZHANG Chonghong,SONG Yin(中國科學(xué)院近代物理研究所,蘭州,730000) 

刊 名： 核技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR TECHNIQUES  年，卷(期)： 2007 30(4)  分類號(hào)： O657.33 O552.6 O472.3  關(guān)鍵詞： 離子注入   輻照   4H-SiC   FTIR   Raman譜   退火  

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