Nam Si7-m(m≤6)團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)的密度泛函理論研究

采用密度泛函理論(DFT)在B3LYP/6-311+G(d)水平上,對(duì)NamSi7-m(m≤6)團(tuán)簇的最低能量結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進(jìn)行了研究.結(jié)果表明:m≤4時(shí),團(tuán)簇的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)傾向于Na原子附著在帶負(fù)電的Si7-m結(jié)構(gòu)的不同位置上,Na原子成分較多時(shí)(m≥4)混合團(tuán)簇的穩(wěn)定幾何結(jié)構(gòu)發(fā)生較大的變化,且團(tuán)簇中Nam的結(jié)構(gòu)與單一的Nam團(tuán)簇的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)不同;自然電荷布居分析表明,電荷從Na原子轉(zhuǎn)移到Si原子;隨著Na原子成分的增加,團(tuán)簇越來(lái)越容易失去電子,且團(tuán)簇的穩(wěn)定性也隨之減弱;隨著m的增加能隙出現(xiàn)振蕩,其中NasSi2的能隙最小,化學(xué)活性最強(qiáng),Na2Si5的能隙最大,化學(xué)活性最弱.

作 者： 劉霞 趙高峰 郭令舉 王獻(xiàn)偉 葛桂賢 閆玉麗 羅有華 LIU Xia ZHAO Gao-feng GUO Ling-ju WANG Xian-wei GE Gui-xian YAN Yu-li LUO You-hua   作者單位： 劉霞,趙高峰,郭令舉,王獻(xiàn)偉,葛桂賢,閆玉麗,LIU Xia,ZHAO Gao-feng,GUO Ling-ju,WANG Xian-wei,GE Gui-xian,YAN Yu-li(河南大學(xué)物理與電子學(xué)院,開(kāi)封,475004)

羅有華,LUO You-hua(河南大學(xué)物理與電子學(xué)院,開(kāi)封,475004;華東理工大學(xué)理學(xué)院,上海,200237) 

刊 名： 原子與分子物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(6)  分類(lèi)號(hào)： O641  關(guān)鍵詞： NamSi7-m(m≤6)團(tuán)簇   密度泛函理論   結(jié)構(gòu)與性質(zhì)  

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