PLT/PbO鐵電薄膜的制備及性能研究

采用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫濺射、后續(xù)退火條件下,以PbO為過渡層,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上制備出具有完全鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)鐵電薄膜;比較了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上有無PbO過渡層的PLT薄膜的微結(jié)構(gòu)和鐵電性能.實驗結(jié)果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上增加PbO過渡層提高了PLT薄膜的相純度,并且所制備的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有優(yōu)良的介電和鐵電性能,其剩余極化強度Pr為21.76 μC/cm2,室溫熱釋電系數(shù)p為2.75×10-8 C/cm2·K.

作 者： 吳家剛 朱基亮 肖定全 朱建國 譚浚哲 張青磊 WU Jia-gang ZHU Ji-liang XIAO Ding-quan ZHU Jian-guo TAN Jun-zhe ZHANG Qing-lei   作者單位： 四川大學,材料科學系,四川,成都,610064  刊 名： 壓電與聲光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3   鐵電薄膜   射頻磁控濺射   剩余極化強度   熱釋電系數(shù)  

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