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超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)

時間:2023-04-26 20:42:00 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)

構(gòu)造了一種高階非線性"拋物線"量子阱,并提出了一種獲得光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)的新概念.指出了只需在超晶格量子阱的兩端加上一個直流電場和交變電場,便可用它作為光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件.引入高階非線性"拋物線"勢,并考慮到粒子運(yùn)動阻尼和外場作用,在經(jīng)典力學(xué)框架內(nèi)和弱偏置下,粒子運(yùn)動方程化為了具有硬彈簧特性的Duffing方程.用攝動法找到了系統(tǒng)的近似解,并分析了共振線附近粒子的運(yùn)動行為與系統(tǒng)的穩(wěn)定性.結(jié)果表明,粒子的振幅平方與外場振幅平方的關(guān)系曲線出現(xiàn)了后彎現(xiàn)象,正是這個后彎現(xiàn)象決定了系統(tǒng)存在雙穩(wěn)態(tài),也正是這個雙穩(wěn)態(tài)決定了具有四階非線性拋物線勢阱的超晶格量子阱可望作為光子或光電子技術(shù)中新的記憶元件或存儲元件.

作 者: 張梅 羅詩裕 邵明珠 ZHANG Mei LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu   作者單位: 東莞理工學(xué)院,廣東,東莞,523106  刊 名: 半導(dǎo)體光電  ISTIC PKU 英文刊名: SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年,卷(期): 2008 29(3)  分類號: O471.5  關(guān)鍵詞: 量子阱   拋物線勢   超晶格   擺方程  

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