銦組分不同的InGaN材料的光致發(fā)光特性

利用光致發(fā)光譜研究了不同組分銦鎵氮材料的光學特性.發(fā)現(xiàn)隨著溫度升高,2個樣品的主峰表現(xiàn)出一種行為:半高寬度(FWHM)增加時,主峰位置紅移;半高寬度減少時,主峰位置藍移.對所得數(shù)據(jù)進行Arrhenius擬合,比較激活能得出結論:樣品B中的非輻射復合中心比樣品A中的易被激活;樣品B中的載流子逃逸效應比樣品A中更為明顯.從而解釋了2個樣品發(fā)光效率不同的原因,為樣品的改良提供了理論依據(jù).

作 者： 鄭大宇 孫元平 王莉莉 張書明 楊輝 ZHENG Da-yu SUN Yuan-ping WANG Li-li ZHANG Shu-ming YANG Hui   作者單位： 鄭大宇,孫元平,ZHENG Da-yu,SUN Yuan-ping(煙臺大學,光電信息科學技術學院,山東,煙臺,264005)

王莉莉,張書明,楊輝,WANG Li-li,ZHANG Shu-ming,YANG Hui(中國科學院半導體研究所,集成光電子學國家重點實驗室,北京,100083) 

刊 名： 煙臺大學學報（自然科學與工程版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF YANTAI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE AND ENGINEERING EDITION)  年，卷(期)： 2008 21(3)  分類號： O469  關鍵詞： 銦鎵氮(InGaN)   光致發(fā)光   半高寬度   激活能  

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