n型硅微尖場發(fā)射電子能譜的模擬計算

結(jié)合金屬的場發(fā)射電子能譜,模擬計算了場滲透對n型半導體硅微尖的場發(fā)射能譜的影響,并與n型硅微尖的場發(fā)射能譜實驗結(jié)果進行了比較,討論了模擬計算誤差的來源.計算結(jié)果表明電場滲透現(xiàn)象導致硅的場發(fā)射能譜向低能方向偏移,表面電場越高,能譜的偏移量越大,其偏移程度可超過1 eV.導致硅微尖的場發(fā)射能譜偏移的主要因素是半導體的場滲透現(xiàn)象.

作 者： 元光 曹崇龍 宋翠華 宋航 嶼拹秀隆 三村秀典 YUAN Guang CAO Chong-long SONG Cui-hua SONG Hang Shimawaki Hitetaka Mimura Hitenori   作者單位： 元光,曹崇龍,宋翠華,YUAN Guang,CAO Chong-long,SONG Cui-hua(中國海洋大學,物理系,山東,青島,266100)

宋航,SONG Hang(中國科學院,激發(fā)態(tài)物理重點實驗室,吉林,長春,130033)

嶼拹秀隆,三村秀典,Shimawaki Hitetaka,Mimura Hitenori(日本靜岡大學,電子工學研究所,日本濱松) 

刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O462.4 TN873.95  關(guān)鍵詞： 場發(fā)射   電子能譜   硅微尖   電場滲透  

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