聚丙烯腈納米纖維氈上生長ZnSe納米晶的結構及發(fā)光特性

通過靜電紡絲制備聚丙烯腈(PAN)納米纖維氈,采用水熱法在二乙烯三胺和去離子水的混合溶劑中于180℃下制備ZnSe/聚丙烯腈纖維納米氈復合材料.使用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、熒光光譜等分析方法對ZnSe/聚丙烯腈復合材料進行表征.結果表明,ZnSe/聚丙烯腈復合材料的形貌較復雜,既有直徑10～100 nm,長度50～500 nm的納米棒,也存在4～10 μm左右的ZnSe微米花.260 nm波長光激發(fā)下ZnSe/聚丙烯腈復合材料的發(fā)射光譜包括位于351 nm(3.55 eV)的弱近紫外激子峰和位于427 nm(2.91 eV)的寬譜帶缺陷發(fā)光峰,二者相對于ZnSe晶體的本征發(fā)射帶468 nm均有明顯的藍移效應.

作 者： 封燕 周正發(fā) 徐衛(wèi)兵 何典 黃國慶 FENG Yan ZHOU Zheng-fa XU Wei-bing HE Dian HUANG Guo-qing   作者單位： 合肥工業(yè)大學,高分子科學與工程系,安徽,合肥,230009  刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(5)  分類號： O482.31  關鍵詞： ZnSe納米晶   聚丙烯腈   靜電紡絲   光致發(fā)光  

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