納米ZnO生長及性質(zhì)分析

利用低壓金屬有機化學氣相沉積(LP-MOCVD)技術,在表面含有ZnO顆粒作為催化劑的Si(111)襯底上制備了ZnO納米柱陣列.采用X射線衍射(XRD)、喇曼光譜(Raman)、掃描電子顯微鏡(SEM)、光致發(fā)光(PL)譜分析了樣品的晶體結(jié)構質(zhì)量、表面性質(zhì)和光學性質(zhì).結(jié)果表明,生長出來的納米ZnO具有較好的c軸擇優(yōu)取向性.發(fā)現(xiàn)氧分壓對ZnO納米柱的生長有重要影響:當氧分壓較低時,生長基于VLS機制;當氧分壓較高時,生長基于VS機制;通過對N2O流量的控制可實現(xiàn)對ZnO納米材料的可控生長.

作 者： 劉少波 顧書林 劉偉 張丹羽 劉雪冬 朱順明 丁維平 張榮 鄭有炓 LIU Shao-bo GU Shu-lin LIU Wei ZHANG Dan-yu LIU Xue-dong ZHU Shun-ming DING Wei-ping ZHANG Rong ZHENG You-liao   作者單位： 劉少波,顧書林,劉偉,劉雪冬,朱順明,張榮,鄭有炓,LIU Shao-bo,GU Shu-lin,LIU Wei,LIU Xue-dong,ZHU Shun-ming,ZHANG Rong,ZHENG You-liao(南京大學,物理系,江蘇,南京,210093)

張丹羽,丁維平,ZHANG Dan-yu,DING Wei-ping(南京大學,化學化工學院,江蘇,南京,210093) 

刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O482.31  關鍵詞： ZnO'納米柱   氣-液-固/氣-固生長機制   低壓金屬有機化學氣相沉積法  

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