合成GaP納米晶過程的關鍵影響因素

本文系統(tǒng)研究了在有機溶劑中常壓合成GaP納米晶過程中反應溫度、反應時間、反應體系的均勻性和原料的比例等關鍵影響因素.GaP納米晶的產率、形貌以及平均粒度隨著這些關鍵因素的改變有很大的不同.制備的GaP納米晶用X射線衍射儀和透射電鏡進行了表征.發(fā)現了最優(yōu)化的合成工藝條件,實現了GaP納米晶的高產率(達85%)制備,而且形貌和粒度可以根據需要進行調控.

作 者： 劉振剛 于美燕 白玉俊 郝霄鵬 王琪瓏 于乃森 崔得良   作者單位： 劉振剛,于美燕,王琪瓏(山東大學化學與化工學院,濟南,250100)

白玉俊,郝霄鵬,于乃森,崔得良(山東大學晶體材料國家重點實驗室,濟南,250100) 

刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2003 32(3)  分類號： O766 O782.9  關鍵詞： 磷化鎵   納米晶   納米棒   X射線衍射   關鍵因素  

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