離子轟擊對準(zhǔn)直碳納米管生長的影響

利用負(fù)偏壓增強熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),在輝光放電的情況下制備出準(zhǔn)直碳納米管,并用掃描電子顯微鏡研究了不同負(fù)偏壓對準(zhǔn)直碳納米管生長的影響.結(jié)果表明隨著負(fù)偏壓的增大,準(zhǔn)直碳納米管的平均直徑減小,平均長度增大.由于輝光放電的產(chǎn)生,在襯底表面附近形成陰極鞘層,以及在陰極鞘層內(nèi)形成大量的離子和在襯底表面附近形成很強的電場導(dǎo)致了離子對襯底表面的強烈轟擊.最后,分析和討論了離子的轟擊對準(zhǔn)直碳納米管生長的影響.

作 者： 黨純 王必本   作者單位： 黨純(淮陰工學(xué)院計算科學(xué)系,淮安,223001)

王必本(北京工業(yè)大學(xué)應(yīng)用數(shù)理學(xué)院,北京,100022) 

刊 名： 人工晶體學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2004 33(1)  分類號： O782  關(guān)鍵詞： 準(zhǔn)直碳納米管   離子轟擊   負(fù)偏壓  

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